maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP51-02-TP
Référence fabricant | BAP51-02-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAP51-02-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP51-02-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 60V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 715mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP51-02-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP51-02-TP-FT |
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Microchip Technology
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EPF10K200SFC484-2
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C7N
Intel