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FCPF400N80Z Image

ON Semiconductor FCPF400N80Z

Numéro de pièce MFG
FCPF400N80Z
quantité disponible
82390 Pièces
Prix de référence
USD 2.832
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCPF400N80Z.pdf
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FCPF400N80Z Caractéristiques

Référence fabricant FCPF400N80Z
Numéro de pièce future FT-FCPF400N80Z
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® II
FCPF400N80Z Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 35.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF400N80Z Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCPF400N80Z-FT

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