maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF16N50UT
Référence fabricant | FDPF16N50UT |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF16N50UT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDPF16N50UT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 38.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF16N50UT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF16N50UT-FT |
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
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GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
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GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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