maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP2M004A060HG
Référence fabricant | GP2M004A060HG |
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Numéro de pièce future | FT-GP2M004A060HG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP2M004A060HG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 86.2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M004A060HG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2M004A060HG-FT |
GP1M005A040PG
Global Power Technologies Group
GP1M005A050PH
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GP1M018A020PG
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GP2M002A060PG
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GP2M002A065PG
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A1020B-VQG80I
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AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
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EP20K400ERC240-1
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