maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF5N50T
Référence fabricant | FDPF5N50T |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF5N50T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDPF5N50T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF5N50T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF5N50T-FT |
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
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GP2M004A065HG
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GP2M005A050HG
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GP2M010A065H
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GP2M012A060H
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation