maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP2M008A060HG
Référence fabricant | GP2M008A060HG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GP2M008A060HG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP2M008A060HG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M008A060HG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2M008A060HG-FT |
GP1M009A020PG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel