maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF041N06BL1
Référence fabricant | FDPF041N06BL1 |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF041N06BL1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDPF041N06BL1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 77A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 77A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5690pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 44.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF041N06BL1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF041N06BL1-FT |
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
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GP2M005A050HG
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GP2M005A060HG
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GP2M007A065HG
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GP2M008A060HG
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GP2M010A060H
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GP2M010A065H
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GP2M012A060H
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GP2M020A050H
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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5SGSMD6K1F40C2LN
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