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Référence fabricant | FQPF7N60 |
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Numéro de pièce future | FT-FQPF7N60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF7N60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF7N60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF7N60-FT |
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
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GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
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GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
Global Power Technologies Group
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel