maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF5N50FT
Référence fabricant | FDPF5N50FT |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF5N50FT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDPF5N50FT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF5N50FT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF5N50FT-FT |
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
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A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC4036XL-3HQ208C
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.