Référence fabricant | EU01ZV |
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Numéro de pièce future | FT-EU01ZV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EU01ZV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 250mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EU01ZV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EU01ZV-FT |
EL 1ZV
Sanken
EL 1ZV0
Sanken
EL 1ZV1
Sanken
EL02ZV
Sanken
EL02ZV0
Sanken
EL02ZV1
Sanken
EL02ZW
Sanken
EM 1
Sanken
EM 1A
Sanken
EM 1AV
Sanken
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel