Référence fabricant | EM 1A |
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Numéro de pièce future | FT-EM 1A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM 1A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM 1A-FT |
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel