Référence fabricant | EM 1AV |
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Numéro de pièce future | FT-EM 1AV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM 1AV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1AV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM 1AV-FT |
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel