Référence fabricant | EL02ZV |
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Numéro de pièce future | FT-EL02ZV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL02ZV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 40ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL02ZV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL02ZV-FT |
CMS15I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS17(TE12L,Q,M)
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CMS30I40A(TE12L,QM
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CRF02(TE85L,Q,M)
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CRS10I30C(TE85L,QM
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CRS10I40A(TE85L,QM
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CRS10I40B(TE85L,QM
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CRS13(TE85L,Q,M)
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A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel