Référence fabricant | EM 1 |
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Numéro de pièce future | FT-EM 1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM 1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM 1-FT |
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS10I40B(TE85L,QM
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CRS13(TE85L,Q,M)
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CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
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LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
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EP3C25F256A7N
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5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel