Référence fabricant | EL 1ZV |
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Numéro de pièce future | FT-EL 1ZV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL 1ZV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL 1ZV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL 1ZV-FT |
CMS08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMS09(TE12L,Q,M)
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CMS15(TE12L,Q,M)
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CMS15I40A(TE12L,QM
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CMS20I30A(TE12L,QM
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CMS21(TE12L,Q,M)
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CMS30I40A(TE12L,QM
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CRF02(TE85L,Q,M)
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CRS10I30C(TE85L,QM
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XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel