maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DMA50P1200HR
Référence fabricant | DMA50P1200HR |
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Numéro de pièce future | FT-DMA50P1200HR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMA50P1200HR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.31V @ 50A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | ISO247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA50P1200HR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMA50P1200HR-FT |
BAS40BRW-TP
Micro Commercial Co
BAS40DW-05-TP
Micro Commercial Co
BAS40DW-06-TP
Micro Commercial Co
BAS70DW-05-TP
Micro Commercial Co
BAS70TW-TP
Micro Commercial Co
BAT54CDW-TP
Micro Commercial Co
BAT54SDW-TP
Micro Commercial Co
SD103ATW-TP
Micro Commercial Co
BAS16TW-TP
Micro Commercial Co
BAV70DW-TP
Micro Commercial Co
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel