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Référence fabricant | BAS70TW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS70TW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS70TW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 70mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70TW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS70TW-TP-FT |
BAT74V,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAV70M,315
Nexperia USA Inc.
BAT54CM,315
Nexperia USA Inc.
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS300/ZLX
NXP USA Inc.
1PS301/ZLX
NXP USA Inc.
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel