maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV70DW-TP
Référence fabricant | BAV70DW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAV70DW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV70DW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70DW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV70DW-TP-FT |
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS300/ZLX
NXP USA Inc.
1PS301/ZLX
NXP USA Inc.
BAT54CW/6/ZLX
NXP USA Inc.
1PS75SB45,115
NXP USA Inc.
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
BAW56T,115
NXP USA Inc.
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation