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Référence fabricant | BAS40BRW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40BRW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40BRW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Series Connection |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40BRW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40BRW-TP-FT |
BAT54CV,115
Nexperia USA Inc.
BAS40-07V,115
Nexperia USA Inc.
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07V,115
Nexperia USA Inc.
BAT74V,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAV70M,315
Nexperia USA Inc.
BAT54CM,315
Nexperia USA Inc.
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel