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Référence fabricant | BAS40DW-05-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40DW-05-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40DW-05-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40DW-05-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40DW-05-TP-FT |
BAS40-07V,115
Nexperia USA Inc.
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07V,115
Nexperia USA Inc.
BAT74V,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAV70M,315
Nexperia USA Inc.
BAT54CM,315
Nexperia USA Inc.
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
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5CGXBC3B6U15C7N
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EPF10K30RI208-4
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