maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS16TW-TP
Référence fabricant | BAS16TW-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAS16TW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS16TW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16TW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16TW-TP-FT |
BAV170MYL
Nexperia USA Inc.
BAW56M,315
Nexperia USA Inc.
MBRF10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS300/ZLX
NXP USA Inc.
1PS301/ZLX
NXP USA Inc.
BAT54CW/6/ZLX
NXP USA Inc.
1PS75SB45,115
NXP USA Inc.
1PS75SB45,135
NXP USA Inc.
BAV70T,115
NXP USA Inc.
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel