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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202

Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202
Price: 453.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (22 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSM180C12P2E202

quantité disponible: 54070 Pièces

Prix de référence: USD 453.6

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSM180C12P2E202.pdf

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BSM180C12P2E202 Caractéristiques

Référence fabricant	BSM180C12P2E202
Numéro de pièce future	FT-BSM180C12P2E202
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BSM180C12P2E202 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	204A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1360W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	Module
Paquet / caisse	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180C12P2E202 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSM180C12P2E202-FT

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