maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RJK03M3DPA-00#J5A
Référence fabricant | RJK03M3DPA-00#J5A |
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Numéro de pièce future | FT-RJK03M3DPA-00#J5A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RJK03M3DPA-00#J5A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3010pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WPAK |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK03M3DPA-00#J5A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJK03M3DPA-00#J5A-FT |
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor
DMN2015UFDE-7
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DMN2040UVT-7
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DMN6017SFV-7
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DMN6070SY-13
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel