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Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7

Name: DMN3110LCP3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3110LCP3-7
Price: 0.142952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (592 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3110LCP3-7

quantité disponible: 96950 Pièces

Prix de référence: USD 0.142952

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3110LCP3-7.pdf

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DMN3110LCP3-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3110LCP3-7
Numéro de pièce future	FT-DMN3110LCP3-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3110LCP3-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max)	12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.38W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	X2-DFN1006-3
Paquet / caisse	3-XFDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3110LCP3-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3110LCP3-7-FT

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