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IXYS MMIX1F180N25T

Name: MMIX1F180N25T
Brand: IXYS
SKU: MMIX1F180N25T
Price: 25.9444 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (545 reviews)

Numéro de pièce MFG: MMIX1F180N25T

quantité disponible: 13040 Pièces

Prix de référence: USD 25.9444

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MMIX1F180N25T.pdf

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MMIX1F180N25T Caractéristiques

Référence fabricant	MMIX1F180N25T
Numéro de pièce future	FT-MMIX1F180N25T
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F180N25T Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	132A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	364nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	570W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	24-SMPD
Paquet / caisse	24-PowerSMD, 21 Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F180N25T Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MMIX1F180N25T-FT

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