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Diodes Incorporated DMN2015UFDE-7

Name: DMN2015UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2015UFDE-7
Price: 0.172216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (277 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN2015UFDE-7

quantité disponible: 88150 Pièces

Prix de référence: USD 0.172216

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN2015UFDE-7.pdf

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DMN2015UFDE-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN2015UFDE-7
Numéro de pièce future	FT-DMN2015UFDE-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN2015UFDE-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1779pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	660mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse	6-PowerUDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2015UFDE-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN2015UFDE-7-FT

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