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Référence fabricant | NTMFS10N3D2C |
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Numéro de pièce future | FT-NTMFS10N3D2C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
NTMFS10N3D2C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 151A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 370µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6215pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 138W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS10N3D2C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMFS10N3D2C-FT |
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor
DMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMN2058U-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFVW-13
Diodes Incorporated
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel