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Référence fabricant | NTMFS10N7D2C |
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Numéro de pièce future | FT-NTMFS10N7D2C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
NTMFS10N7D2C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 78A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2635pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6), Power56 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS10N7D2C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMFS10N7D2C-FT |
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
DMN3110LCP3-7
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NVATS5A302PLZT4G
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DMN3009SSS-13
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DMN5040LSS-13
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
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