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Renesas Electronics America N0604N-S19-AY

Numéro de pièce MFG
N0604N-S19-AY
quantité disponible
18630 Pièces
Prix de référence
USD 0.588
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
N0604N-S19-AY.pdf
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N0604N-S19-AY Caractéristiques

Référence fabricant N0604N-S19-AY
Numéro de pièce future FT-N0604N-S19-AY
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
N0604N-S19-AY Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 82A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220 Isolated Tab
Paquet / caisse TO-220-3 Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
N0604N-S19-AY Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange N0604N-S19-AY-FT

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