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Renesas Electronics America RJK03M4DPA-00#J5A

Name: RJK03M4DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK03M4DPA-00#J5A
Price: 0.500416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (665 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK03M4DPA-00#J5A

quantité disponible: 82080 Pièces

Prix de référence: USD 0.500416

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK03M4DPA-00#J5A.pdf

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RJK03M4DPA-00#J5A Caractéristiques

Référence fabricant	RJK03M4DPA-00#J5A
Numéro de pièce future	FT-RJK03M4DPA-00#J5A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK03M4DPA-00#J5A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2170pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-WPAK
Paquet / caisse	8-WFDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK03M4DPA-00#J5A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK03M4DPA-00#J5A-FT

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