maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-122NQ030PBF
Référence fabricant | VS-122NQ030PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-122NQ030PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-122NQ030PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 570mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 7400pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-122NQ030PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-122NQ030PBF-FT |
D921S45TXPSA1
Infineon Technologies
D931SH65TXPSA1
Infineon Technologies
BYM11-1000HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel