maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM11-800HE3_A/I
Référence fabricant | BYM11-800HE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-BYM11-800HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM11-800HE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM11-800HE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM11-800HE3_A/I-FT |
BYG10MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/H
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BYG20DHM3_A/H
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BYG20DHM3_A/I
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BYG20GHE3_A/I
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BYG20GHM3_A/H
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M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
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