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Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHE3_A/I

Name: BYG10MHE3_A/I
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: BYG10MHE3_A/I
Price: 0.125312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (98 reviews)

Numéro de pièce MFG: BYG10MHE3_A/I

quantité disponible: 44260 Pièces

Prix de référence: USD 0.125312

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: Automotive, AEC-Q101 DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BYG10MHE3_A/I.pdf

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BYG10MHE3_A/I Caractéristiques

Référence fabricant	BYG10MHE3_A/I
Numéro de pièce future	FT-BYG10MHE3_A/I
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
BYG10MHE3_A/I Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Avalanche
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	1.5A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.15V @ 1.5A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	4µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BYG10MHE3_A/I Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BYG10MHE3_A/I-FT

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