maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG10MHE3_A/I
Référence fabricant | BYG10MHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10MHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10MHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10MHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10MHE3_A/I-FT |
APD240VG-E1
Diodes Incorporated
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
S1MSP1-7
Diodes Incorporated
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
CDBZC0130R-HF
Comchip Technology
CDBU43-HF
Comchip Technology
MBR2150VGTR-E1
Diodes Incorporated
FFSB1065B-F085
ON Semiconductor
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
FFSB20120A-F085
ON Semiconductor
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel