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Référence fabricant | MBR2150VGTR-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR2150VGTR-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR2150VGTR-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-15 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2150VGTR-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2150VGTR-E1-FT |
CD214B-B360R
Bourns Inc.
CD214B-FS2D
Bourns Inc.
CD214B-FS2G
Bourns Inc.
CD214B-FS2J
Bourns Inc.
CD214B-FS2K
Bourns Inc.
CD214B-FS3D
Bourns Inc.
CD214B-FS3J
Bourns Inc.
CD214B-FS3K
Bourns Inc.
CD214A-B340R
Bourns Inc.
CD214A-B160R
Bourns Inc.
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel