maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NGTD13R120F2WP
Référence fabricant | NGTD13R120F2WP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NGTD13R120F2WP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTD13R120F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 25A |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD13R120F2WP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTD13R120F2WP-FT |
CD214B-B220R
Bourns Inc.
CD214B-B240R
Bourns Inc.
CD214B-B260R
Bourns Inc.
CD214B-B3100R
Bourns Inc.
CD214B-B320R
Bourns Inc.
CD214B-B360R
Bourns Inc.
CD214B-FS2D
Bourns Inc.
CD214B-FS2G
Bourns Inc.
CD214B-FS2J
Bourns Inc.
CD214B-FS2K
Bourns Inc.
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel