maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NGTD17R120F2WP
Référence fabricant | NGTD17R120F2WP |
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Numéro de pièce future | FT-NGTD17R120F2WP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTD17R120F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 35A |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD17R120F2WP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTD17R120F2WP-FT |
CD214B-B260R
Bourns Inc.
CD214B-B3100R
Bourns Inc.
CD214B-B320R
Bourns Inc.
CD214B-B360R
Bourns Inc.
CD214B-FS2D
Bourns Inc.
CD214B-FS2G
Bourns Inc.
CD214B-FS2J
Bourns Inc.
CD214B-FS2K
Bourns Inc.
CD214B-FS3D
Bourns Inc.
CD214B-FS3J
Bourns Inc.
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel