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Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-1000HE3_A/I

Name: BYM11-1000HE3_A/I
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: BYM11-1000HE3_A/I
Price: 0.09628 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (414 reviews)

Numéro de pièce MFG: BYM11-1000HE3_A/I

quantité disponible: 69290 Pièces

Prix de référence: USD 0.09628

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fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BYM11-1000HE3_A/I.pdf

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BYM11-1000HE3_A/I Caractéristiques

Référence fabricant	BYM11-1000HE3_A/I
Numéro de pièce future	FT-BYM11-1000HE3_A/I
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
BYM11-1000HE3_A/I Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.3V @ 1A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	500ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	DO-213AB, MELF (Glass)
Package d'appareils du fournisseur	DO-213AB
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BYM11-1000HE3_A/I Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BYM11-1000HE3_A/I-FT

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