maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D931SH65TXPSA1
Référence fabricant | D931SH65TXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-D931SH65TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D931SH65TXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 6500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1220A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 5.6V @ 2500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100mA @ 6500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AD |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | 0°C ~ 140°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D931SH65TXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D931SH65TXPSA1-FT |
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel