maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D921S45TXPSA1
Référence fabricant | D921S45TXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-D921S45TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D921S45TXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1630A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 2500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100mA @ 4500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AD |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 140°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D921S45TXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D921S45TXPSA1-FT |
BYG10KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel