maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-121NQ045PBF
Référence fabricant | VS-121NQ045PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-121NQ045PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-121NQ045PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 5200pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-121NQ045PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-121NQ045PBF-FT |
D841S45TXPSA1
Infineon Technologies
D921S45TXPSA1
Infineon Technologies
D931SH65TXPSA1
Infineon Technologies
BYM11-1000HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel