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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)

Name: TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4,Q,M)
Price: 1.304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (309 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK9A60D(STA4,Q,M)

quantité disponible: 26510 Pièces

Prix de référence: USD 1.304

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

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TK9A60D(STA4,Q,M) Caractéristiques

Référence fabricant	TK9A60D(STA4,Q,M)
Numéro de pièce future	FT-TK9A60D(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	π-MOSVII
TK9A60D(STA4,Q,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	830 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220SIS
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9A60D(STA4,Q,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK9A60D(STA4,Q,M)-FT

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