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Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5,S1VX

Name: TK16E60W5,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16E60W5,S1VX
Availability: InStock
Rating: 4.5 (395 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK16E60W5,S1VX

quantité disponible: 94990 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK16E60W5,S1VX.pdf

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TK16E60W5,S1VX Caractéristiques

Référence fabricant	TK16E60W5,S1VX
Numéro de pièce future	FT-TK16E60W5,S1VX
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK16E60W5,S1VX Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 790µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK16E60W5,S1VX Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK16E60W5,S1VX-FT

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