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Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX

Name: TK12E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E60W,S1VX
Price: 1.98 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (20 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK12E60W,S1VX

quantité disponible: 49730 Pièces

Prix de référence: USD 1.98

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK12E60W,S1VX.pdf

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TK12E60W,S1VX Caractéristiques

Référence fabricant	TK12E60W,S1VX
Numéro de pièce future	FT-TK12E60W,S1VX
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK12E60W,S1VX Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Caractéristique FET	Super Junction
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12E60W,S1VX Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK12E60W,S1VX-FT

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