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Référence fabricant | TK14E65W,S1X |
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Numéro de pièce future | FT-TK14E65W,S1X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DTMOSIV |
TK14E65W,S1X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 130W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK14E65W,S1X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK14E65W,S1X-FT |
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M1A3P250-2PQG208
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EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
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