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Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1,S1X

Numéro de pièce MFG
TK58E06N1,S1X
quantité disponible
67220 Pièces
Prix de référence
USD 1.072
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 58A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK58E06N1,S1X.pdf
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TK58E06N1,S1X Caractéristiques

Référence fabricant TK58E06N1,S1X
Numéro de pièce future FT-TK58E06N1,S1X
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVIII-H
TK58E06N1,S1X Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 58A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK58E06N1,S1X Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK58E06N1,S1X-FT

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