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Référence fabricant | STPSC10H12CWL |
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Numéro de pièce future | FT-STPSC10H12CWL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ECOPACK® |
STPSC10H12CWL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 19A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 Long Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STPSC10H12CWL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STPSC10H12CWL-FT |
TRS16N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TRS24N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D01FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S03FE(TE85L,F)
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HN2D01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S02JE(TE85L,F)
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1SS226,LF
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TBAW56,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAV70,LM
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1SS361,LJ(CT
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LFECP6E-5T144C
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XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
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A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
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AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel