maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HN2S02JE(TE85L,F)
Référence fabricant | HN2S02JE(TE85L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-HN2S02JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN2S02JE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | ESV |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN2S02JE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN2S02JE(TE85L,F)-FT |
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CL-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel