maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HN2S03FE(TE85L,F)
Référence fabricant | HN2S03FE(TE85L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-HN2S03FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN2S03FE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN2S03FE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN2S03FE(TE85L,F)-FT |
SS10P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CL-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel