maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HN2D01JE(TE85L,F)
Référence fabricant | HN2D01JE(TE85L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-HN2D01JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN2D01JE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | ESV |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN2D01JE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN2D01JE(TE85L,F)-FT |
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CL-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
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10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel