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Référence fabricant | TRS16N65D,S1F |
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Numéro de pièce future | FT-TRS16N65D,S1F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TRS16N65D,S1F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 90µA @ 650V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS16N65D,S1F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TRS16N65D,S1F-FT |
SS10P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel